| 特徴 | 半導体デバイスに配置された電極上にマスクレスで選択的にUBM形成を行うための無電解ニッケルめっき液です。 ① 浴成分中に鉛およびナトリウムを含みません。 ② 初期反応性に優れており、微小電極上に安定した無電解UBM形成を行うことが可能です。 ③ 補給剤を使用してめっき析出で減少した浴成分を補給することにより、浴成分濃度を維持しながら連続稼動できます。 ④ めっき皮膜中のリン含有率は6~8 wt%、めっき析出速度は85℃、pH4.6の条件下で14~16 μm/hrです。 アルミニウム電極への無電解めっきプロセス(UBMプロセス)無電解ニッケルめっき ●中リン浴(リン含率 6 ~8wt%) ●UBM用無電解ニッケルめっき浴 ●析出速度 14 ~16μm/h |
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| メーカー名 | メルテックス株式会社 |
| メーカーURL | https://www.meltex.com/products_search/item_8 |
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